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ST意法供应 STD3NK60Z N沟道 600V 2.4A 场效应晶体管

  明佳达电子ST意法供应 STD3NK60Z N沟道 600V 2.4A 场效应晶体管

品牌 ST
型号 STD3NK60Z
批次 09+

 

描述

SuperMESH™系列通过以下方式获得ST完善的条带的极端优化 - 基于PowerMESH™布局。除了推导通电阻明显下降,特别注意确保一个非常好的dv / dt能力最苛刻的应用。这样的系列完成 - ST全系列高压MOSFET - 包括革命性的MDmesh™产品。

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 广西快3官网3.6 欧姆 @ 1.2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.8nC @ 10V

Vgs(最大值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 311pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 45W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 I-PAK

封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

应用

高电流,高速开关

理想的离线电源,适配器和PFC

灯光

实物图

STD3NK60Z

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点击数:0 | 更新时间:2019-05-31 17:16:29
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